隨著改革開(kāi)放，中國(guó)的電子業(yè)獲得了飛速發(fā)展，電子工業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域均進(jìn)行了技術(shù)革新和技術(shù)引入，并逐漸形成系統(tǒng)和理論。在 sAI - f 技術(shù)這個(gè)領(lǐng)域也獲得了較大發(fā)展，甚至有的學(xué)院已經(jīng)建立了關(guān)于 sN . ' l ' f 技術(shù)的專業(yè)。清洗是 sN1 ' f 工藝的一個(gè)重要組成部分，而對(duì)清洗后殘存的離子污染物的測(cè)試則是對(duì)清洗工藝進(jìn)行控制和監(jiān)測(cè)的一個(gè)重要組成部分。環(huán)境不僅關(guān)系到人類的生活，并且對(duì)電子產(chǎn)品的使用壽命和穩(wěn)定性產(chǎn)生重要影響。在二次世界大戰(zhàn)期間，在戰(zhàn)斗中使用的電信器材的損壞有 5 ( ) “是由于環(huán)境氣候引起的腐蝕和霉變等造成的，而存放在庫(kù)房中的產(chǎn)品的損壞率高達(dá)以）嘆。由此，涂敷保護(hù)進(jìn)入了電子業(yè)。而涂層是對(duì)外部環(huán)境的影響的阻隔，而在組裝產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程中弓｝入的微粒污垢、離子性導(dǎo)電污垢和有腐蝕作用的污垢，如果未加清洗，則涂層失去了保護(hù)的意義，因?yàn)槠鋬?nèi)部已經(jīng)受到污染。而清洗后一定要有一種手段能夠?qū)ζ溥M(jìn)行監(jiān)控，即測(cè)試電路板是否已經(jīng)達(dá)到了清潔標(biāo)準(zhǔn)。這就是要對(duì)離子污染進(jìn)行測(cè)試的原因。美國(guó)最早對(duì)此進(jìn)行了研究，并制定了相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。
什么是離子污染測(cè)試儀？離子污染物的特色是可溶于水，并且通常為有機(jī)或無(wú)機(jī)酸和鹽。電子部件和元器件經(jīng)常暴露于波峰焊、熱空氣環(huán)境、電鍍、刻蝕和化學(xué)清潔的等工藝過(guò)程中的污染物。離子污染鋇 l 試是用超純凈的萃取溶液從電子部件上移去工藝過(guò)程中留下的殘余物。對(duì)清潔結(jié)果的鋇 l 量是以傳導(dǎo)率或電阻系數(shù)為評(píng)判依據(jù)，把鋇 l 量值與標(biāo)準(zhǔn)比較。在此，標(biāo)準(zhǔn)是在純的 75 " lP 刀 25 " 水溶液中鋇 l 量氯化鈉的傳導(dǎo)率或電阻系數(shù)。依據(jù)決定需要給出此讀數(shù)的 NaCI 的數(shù)量的方式，測(cè)試結(jié)果可以表示為一個(gè)傳導(dǎo)率或電阻系數(shù)的函數(shù)，或更好地表示為在每單位樣品面積上等量的氯化鈉。一個(gè)樣品測(cè)試讀數(shù)為 4 . 5 微克 NaCI ／平方厘米，意謂著在測(cè)試結(jié)束時(shí)傳導(dǎo)率或電阻系數(shù)等同于 4 . 5 微克 NaC ！給出的數(shù)據(jù)而不是實(shí)際鋇 l 到了 4 . 5 微克 Nacl 。
離子污染測(cè)試儀的起源 l 試的起源最早記載的污染萃取測(cè)量方法是由貝爾實(shí)驗(yàn)室的’ f ．卜 Lgan 提出的。最初測(cè)試使用 l ( x ) % 去離子水。印第安那波利斯的海軍航空電子中心進(jìn)行了改進(jìn)，他們使用 IP . , v 水的混和物來(lái)提高去除松香殘余物。此方法需要一個(gè)人手動(dòng)噴淋醇 l 水溶液到鋇 l 試樣品上面。一旦噴淋和收集的數(shù)量達(dá)到川 nll 每平方英寸測(cè)試樣品的表面積，則停止嘖琳并且側(cè)量溶液的電阻值。此方式成為最原始的“測(cè)量方法” ( M IL 一 P 一 288 （為）。由于通過(guò)／失敗限度，需要萃取的溶液必須有最小 2 入 p 的電阻值。， \ l 油 a mctal 的 Jack Br 曲、博士獨(dú)立開(kāi)發(fā)了以“動(dòng)態(tài)”方式著名的改進(jìn)技術(shù)。后來(lái)的影響使這些鋇 l 試技術(shù)形成了兩種主要類型的測(cè)試儀器一一靜態(tài)和動(dòng)態(tài)。
儀器用途：用于PCB電路板清洗工序前后離子污染程度的測(cè)試
儀器特點(diǎn)：1.結(jié)構(gòu)采用全封閉循環(huán)系統(tǒng)2.測(cè)試方法：靜態(tài)/動(dòng)態(tài)一體。3.可根據(jù)客戶要求容量定制
